永利会员888贵宾厅

永利会员888贵宾厅进展

省永利会员888贵宾厅半导体院:高灵敏度应变传感器制备取得新突破

来源: 时间:2021-07-23
  

  应变传感器在健康监测、可穿戴设备、人工智能等领域具有重要应用,利用压电效应实现对应变的监测有望成为一种主流永利会员888贵宾厅路线。氮化物半导体具有非常强的压电效应,是制备应变传感器的理想材料。然而,蓝宝石衬底刚性较强,上层的外延结构应变调控范围有限,限制了其在应变传感器领域的应用。

  近日,省永利会员888贵宾厅半导体产业永利会员888贵宾厅研究院永利会员888贵宾厅人员采用电化学腐蚀方法实现了蓝宝石衬底的剥离,并将剥离后的微米线结构转移到PET柔性衬底上,通过对微米线器件施加外部应变,可调节量子阱异质结的能带,从而调控载流子传输,实现压电式应变传感,与已有的应变传感器相比,该结构具有成本低、易于制作、在低偏置和应变小的情况下具有较高的灵敏度等明显优点。

  相关结果以“The piezotronic effect in InGaN/GaN quantum-well based microwire for ultrasensitive strain sensor”为题发表于《Nano Energy(工程永利会员888贵宾厅一区top2019年影响因子16.602),半导体院为论文共同第一作者永利会员888贵宾厅。

  

  选择性电化学腐蚀制备InGaN/GaN多量子阱微米线型压电式应变传感器实验流程及SEM表征

  论文链接:

  (省永利会员888贵宾厅半导体院 材料外延平台/供稿)

附件下载:
"